首页> 中国专利> 在DRAM装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置

在DRAM装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置

摘要

提供了在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置。来自涉及第一刷新操作的第一阵列位线感应放大器的一条或多条电源线的电荷可以被转移(610)到涉及后续刷新操作的至少第二和第三阵列位线感应放大器的一条或多条电源线。

著录项

  • 公开/公告号CN1898748A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份公司;

    申请/专利号CN200480038829.5

  • 发明设计人 J·韩;J·P·金;

    申请日2004-10-13

  • 分类号G11C11/406;G11C11/4091;G11C11/4074;G11C7/06;G11C5/06;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张雪梅

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 18:08:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-12

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-03-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号