公开/公告号CN1870307A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-11-29
原文格式PDF
申请/专利权人 大连路美芯片科技有限公司;
申请/专利号CN200510071592.7
申请日2005-05-26
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 116025 辽宁省大连高新园区七贤岭高能街1号
入库时间 2023-12-17 17:59:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-07
文件的公告送达 IPC(主分类):H01L33/00 收件人:大连美明外延片科技有限公司 文件名称:中止程序结束通知书 申请日:20050526
文件的公告送达
2016-11-09
专利权保全的解除 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20080730 解除日:20160912 申请日:20050526
专利权的保全及其解除
2015-04-08
专利权保全的解除 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20080730 解除日:20150302 申请日:20050526
专利权的保全及其解除
2014-10-08
专利权保全的解除 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20080730 解除日:20140902 申请日:20050526
专利权的保全及其解除
2013-10-09
专利权的保全 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20080730 登记生效日:20130902 申请日:20050526
专利权的保全及其解除
2011-06-15
专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20110509 申请日:20050526
专利申请权、专利权的转移
2008-07-30
授权
授权
2007-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-29
公开
公开
查看全部
机译： 氮化镓基半导体发光器件，制造氮化镓基半导体发光器件的方法，氮化镓基发光二极管，外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译： 氮化镓基半导体发光器件及其制造方法，氮化镓基发光二极管，外延晶片以及氮化镓发光二极管的制造方法
机译： 氮化镓基半导体发光元件的制造方法，氮化镓基半导体发光元件，氮化镓基发光二极管，外延晶片
