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具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作方法

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摘要

本发明涉及一种利用局部电荷俘获的具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作的操作方法。

1. 具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作方法 [P] . 中国专利： CN1851903A . 2006-10-25
2. 多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法 [P] . 中国专利： CN1773711A . 2006-05-17
3. Non-volatile memory having H-channel double-gate and method of manufacturing thereof and method of operating for multi-bits cell operation [P] . 韩国专利： KR100680291B1 . 2007-02-07

机译：具有H沟道双栅的非易失性存储器及其制造方法和用于多位单元操作的方法
4. Multi-bit non-volatile memory device having a dual-gate and method of manufacturing the same, and method of multi-bit cell operation [P] . 美国专利： US7402862B2 . 2008-07-22

机译：具有双栅极的多位非易失性存储器件及其制造方法以及多位单元操作方法
5. MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING A DUAL-GATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MULTI-BIT CELL OPERATION [P] . 美国专利： US2006237777A1 . 2006-10-26

机译：具有双门的多位非易失性存储器器件及其制造方法和多位单元操作方法