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具有栅极间隔结构和低电阻通道耦接的场效应晶体管

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摘要

场效应晶体管结构(3p，3n)的间隔结构(24p，24n)至少局部增强有不动的载流子。在间隔结构里所聚集的电荷在位于下面的半导体基体(1)里感应出一个运动的载流子的增强区(13n，13p)。该增强区(13n，13p)减小了在相应源极/漏极区(61，62)和一个由栅电极(21)的一个电位所控制的相应的场效应晶体管结构(3p，3n)的通道部位(63)之间的一个通道耦接的电阻。从场效应晶体管结构(3p，3n)的栅电极(21)收拉的源极/漏极区(61，62)减小了在栅电极(21)和相应的源极/漏极区(61，62)之间的重叠电容。提出了用以分别合适方式聚集的间隔结构(24n，24p)制造具有n－FETs(3n)和p－FETs(3p)的晶体管装置的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1855541A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份公司;

    申请/专利号CN200610051519.8

  • 发明设计人 M·歌德巴赫;R·施托默;

    申请日2006-02-28

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8238(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人苏娟;胡强

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 17:51:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/78 授权公告日:20090107 终止日期:20160228 申请日:20060228

    专利权的终止

  • 2016-01-13

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20151225 变更前: 变更后: 申请日:20060228

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-10-24

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L29/78 变更前: 变更后: 申请日:20060228

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-10-24

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20120917 申请日:20060228

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-01-07

    授权

    授权

  • 2006-12-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-01

    公开

    公开

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