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公开/公告号CN1851045A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN200610200503.9
发明设计人 温小琼;王德真;
申请日2006-05-31
分类号C23C16/513(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人侯明远
地址 116024 辽宁大连甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-12-17 17:51:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-01-28
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-20
实质审查的生效
2006-10-25
公开
机译: 通过直流辉光放电对材料进行等离子体蚀刻的基质清洁或沉积的方法和设备
机译: 利用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积的金刚石膜合成装置及其方法
机译: 高密度直流辉光放电沉积金刚石膜的方法
机译:用于金属管内表面改性的直流辉光放电等离子体源
机译:通过增强辉光放电等离子体浸没离子注入和沉积研究在细长石英玻璃管内表面沉积类金刚石碳膜的均匀性
机译:使用带有射频辉光放电等离子体的圆柱形电极在聚碳酸酯管内壁上沉积类金刚石碳膜
机译:直流异常辉光放电的石墨烯沉积物
机译:辉光放电对激光汽化沉积薄膜的影响以及辉光放电中铜-氧反应的活化能测量。
机译:使用辉光放电沉积方法控制蛋白质吸附的全氟化离聚物的表面改性
机译:直流辉光放电模拟的整体基函数方法
机译:DLC薄膜沉积CH4 / H2射频辉光放电的粒子模拟。