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采用MEMS技术的半导体器件

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摘要

根据本发明一个实施例的采用MEMS技术的半导体器件包含：空腔；提供在空腔下部的下电极；提供在空腔上部或内部的致动器；连接到致动器的上电极；以及经由其底部表面被提供在空腔中下电极上部表面上方的接触孔而在空腔外与下电极相接触的导电层。

公开/公告号CN1848472A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;
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申请/专利号CN200610073884.9
发明设计人大黑达也;
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申请日2006-04-06
分类号H01L41/08(20060101);H01L41/22(20060101);B81B3/00(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 17:42:34

1. 采用MEMS技术的半导体器件 [P] . 中国专利： CN1848472A . 2006-10-18
2. 半导体器件和采用该半导体器件的半导体存储器 [P] . 中国专利： CN1447436A . 2003-10-08
3. SEMICONDUCTOR DEVICE USING MEMS TECHNOLOGY [P] . 日本专利： JP2006289520A . 2006-10-26

机译：采用MEMS技术的半导体器件
4. Semiconductor composite device, method for manufacturing the semiconductor composite device, LED head that employs the semiconductor composite device, and image forming apparatus that employs the LED head [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1635404B1 . 2014-01-08

机译：半导体复合器件，制造该半导体复合器件的方法，采用该半导体复合器件的LED头以及采用该LED头的图像形成装置
5. Semiconductor composite device, method for manufacturing the semiconductor composite device, LED head that employs the semiconductor composite device, and image forming apparatus that employs the LED head [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1635404A3 . 2011-03-09

机译：半导体复合器件，制造该半导体复合器件的方法，采用该半导体复合器件的LED头以及采用该LED头的图像形成装置