非常均匀的氧化物层、尤其是超薄层的受控生长

摘要

本发明涉及制造具有高水平的均匀度的氧化物层优选为超薄氧化物层的方法。一种这样的方法包括步骤：在半导体衬底的半导体表面上直接或间接地形成基本饱和或饱和的氧化物层；并且将基本饱和或饱和的氧化物层的厚度以刻蚀法减少一定量，使得刻蚀后的氧化物层具有小于基本饱和或饱和的氧化物层的厚度。在特定实施例中，本发明的方法提供具有小于约+/－10％的均匀度的刻蚀氧化物层。本发明还涉及由本发明的方法制成的微电子器件和用于实施本发明方法的制造系统。