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公开/公告号CN1837402A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-09-27
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN200610076993.6
发明设计人 张鹏云;
申请日2006-04-14
分类号C23C16/32;C23C16/513;C23C16/52;
代理机构大连理工大学专利中心;
代理人侯明远
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-12-17 17:42:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-24
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22
实质审查的生效
2006-09-27
公开
机译: 含硅和含碳前体的基于等离子体的碳化硅薄膜沉积
机译: 基于等离子体的氧掺杂碳化硅薄膜沉积
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:等离子体功率对低基底温度下超高频等离子体增强化学气相沉积法沉积氢化纳米晶立方碳化硅薄膜结构的影响
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的非晶碳化硅薄膜(a-SiC:H)作为恶劣环境应用中的保护涂层
机译:化学计量的非晶态氢化碳化硅薄膜的合成,采用直流等离子体等离子体增强化学气相沉积
机译:使用直流等离子体等离子体增强化学气相沉积法合成化学计量的氢化非晶碳化硅薄膜。
机译:直流和射频等离子体射流的大气压等离子体沉积有机硅薄膜
机译:大气压等离子体化学气相沉积的非晶硅薄膜的高速率沉积。 (第一个报告)。具有旋转电极的大气压等离子体CVD装置的设计与生产。
机译:等离子体沉积碳化硅薄膜