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高定向金刚石薄膜及其制备方法、及应用高定向金刚石薄膜的电子器件

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摘要

一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]－[O])/[CH

著录项

公开/公告号CN1804116A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-07-19

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社神户制钢所;
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申请/专利号CN200510131594.0
发明设计人横田嘉宏;林和志;橘武史;小桥宏司;
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申请日2005-11-29
分类号C23C16/27;C30B25/00;C30B29/04;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人韦欣华
地址日本兵库县
入库时间 2023-12-17 17:29:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/27 授权公告日:20100616 终止日期:20161129 申请日:20051129

专利权的终止
2010-06-16

授权

授权
2006-09-13

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-07-19

公开

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