具有位于磁隧道结器件下面的位线的MRAM体系结构

摘要

本发明公开了一种用于提供及使用磁存储器的方法和系统。所述方法和系统包括提供多个磁存储器单元、至少第一写入线和至少第二写入线。每个磁存储器单元都包括具有顶部和底部的磁元件。第一写入线连接到所述多个磁存储器单元的第一部分的磁元件的底部。第二写入线位于所述磁存储器单元的第二部分的每一个的磁元件的顶部之上。第二写入线与所述多个磁存储器单元的第二部分的每一个的磁元件电性绝缘。