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机译:用于MRAM应用的具有双势垒层的垂直磁隧道结
aluminium compounds; atomic force microscopy; cobalt alloys; gadolinium alloys; iron alloys; magnetic multilayers; magnetic thin films; metallic thin films; platinum; sputtered coatings; terbium alloys; titanium; tunnelling magnetoresistance; 2.5 mum; 3.5 mum; I-V curv;
机译:具有双势垒和单个或合成反铁磁存储层的垂直磁性隧道结
机译:具有Co / lr界面各向异性的高性能垂直磁隧道结,适用于嵌入式和独立STT-MRAM应用
机译:具有CoFe / Pd多层和铁磁插入层的MgO势垒-垂直磁隧道结
机译:在室温下使用MgO(100)屏障层垂直磁隧道结64%的隧道磁阻结
机译:具有MgO隧道势垒的垂直磁性隧道结
机译:作者更正:使用单个SyAF Co / Pt n层的基于Co2Fe6B2顶层自由层的基于MgO的垂直双隧道垂直磁隧道结自旋阀结构
机译:mgO势垒垂直磁隧道结与CoFe / pd 多层和铁磁插入层