首页> 中国专利> 聚合的四面体碳薄膜及其形成方法以及使用该薄膜形成精细图形的方法

聚合的四面体碳薄膜及其形成方法以及使用该薄膜形成精细图形的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供包括具有sp

著录项

公开/公告号CN1790161A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-06-21

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
展开▼

申请/专利号CN200510125198.7
发明设计人夏政焕;姜律;柳万馨;李时镛;禹相均;
展开▼

申请日2005-11-24
分类号G03F1/00;H01L21/027;C08F38/00;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人林宇清
地址韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 17:20:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/00 公开日:20060621 申请日:20051124

发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-21

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 聚合的四面体碳薄膜及其形成方法以及使用该薄膜形成精细图形的方法 [P] . 中国专利： CN1790161A . 2006-06-21
2. 物质图形、模具、金属薄膜图形、金属图形及其形成方法 [P] . 中国专利： CN101281365A . 2008-10-08
3. Polymeric tetrahedral carbon films, methods of forming the same and methods of forming fine patterns using the same [P] . 美国专利： US2006115772A1 . 2006-06-01

机译：聚合四面体碳膜，其形成方法和使用其形成精细图案的方法
4. FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND PRODUCTION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016010046A9 . 2016-12-15

机译：有机半导体薄膜的形成方法，使用有机半导体薄膜的形成方法的有机半导体装置，以及使用有机半导体薄膜的形成方法的有机半导体装置的制造方法
5. FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND PRODUCTION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING FORMATION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016010046A1 . 2016-01-21

机译：有机半导体薄膜的形成方法，使用有机半导体薄膜的形成方法的有机半导体装置，以及使用有机半导体薄膜的形成方法的有机半导体装置的制造方法