首页> 中国专利> 薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器

薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器

摘要

薄膜图案形成方法包括:在形成对于包含构成第一薄膜的薄膜材料的功能液具有亲液性的第二薄膜的步骤;在第二薄膜的表面进行付与对功能液的疏液性的处理的步骤;除去第二薄膜的一部分,形成规定第一薄膜图案形状的凹部的步骤;向凹部喷出功能液的步骤;使向凹部喷出的功能液干燥,形成第一薄膜的步骤。半导体器件的电路配线,用所述薄膜图案形成方法形成,电光学装置具备该半导体器件,电子仪器具备所述电光学装置。

著录项

  • 公开/公告号CN1764352A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 精工爱普生株式会社;

    申请/专利号CN200510113607.1

  • 发明设计人 守屋克之;平井利充;

    申请日2005-10-11

  • 分类号H05K3/12;H05K1/02;H05K1/16;H05K3/10;G02B5/20;G02F1/1335;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人李香兰

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-17 17:16:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-09

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-06-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-26

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号