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进行抗蚀剂工艺校准/优化和DOE优化的方法

摘要

一种将多个光刻系统使用的工艺最佳化的方法,所述方法包括下述步骤:(a)利用第一光刻系统确定为指定工艺和目标图案确定校准的抗蚀剂模型;((b)选择要用于使用所述指定工艺成像所述目标图案的第二光刻系统,所述第二光刻系统可配置有多个衍射光学元件之一,所述多个衍射光学元件的每一个都具有用于优化指定衍射光学元件的性能的相应的可变参数;(c)选择所述多个衍射光学元件之一,并利用所述选择的所述多个衍射光学元件之一、所述校准的抗蚀剂模型和所述目标图案来模拟所述第二光刻系统的成像性能;以及(d)通过执行遗传算法优化所选择的所述多个衍射光学元件之一的成像性能,所述遗传算法辨别使目标图案的成像最佳的所选择的多个衍射光学元件之一的参数值。

著录项

  • 公开/公告号CN1758139A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML蒙片工具有限公司;

    申请/专利号CN200510113215.5

  • 发明设计人 S·卜克;J·F·陈;A·利布亨;

    申请日2005-08-26

  • 分类号G03F7/00(20060101);G06F17/50(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张雪梅;陈景峻

  • 地址 荷兰维尔德霍芬

  • 入库时间 2023-12-17 17:08:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-10

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-12-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-12

    公开

    公开

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