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具有原始金属垫的重新布局晶片

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本发明将成一行排列的金属垫晶片重新布局，金属垫D，安置于晶片空旷处，加大金属垫D之间的间隔，便于测试制具的制作与使用，可以正确测试产品的电性。

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公开/公告号CN1728369A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人钰创科技股份有限公司;
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申请/专利号CN200410055778.9
发明设计人戎博斗;郭明宏;郑忻怡;吴奕祯;
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申请日2004-07-30
分类号H01L23/48;H01L23/52;H01L23/00;
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人吴林松
地址台湾省新竹市科学工业园区科技五路六号
入库时间 2023-12-17 16:55:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-02-20

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2006-03-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-01

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 具有原始金属垫的重新布局晶片 [P] . 中国专利： CN1728369A . 2006-02-01
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3. Method for producing a metallization having two multiple alternating metallization layers for at least one contact pad and semiconductor wafer having said metallization for at least one contact pad [P] . 美国专利： US8648466B2 . 2014-02-11

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5. METHOD FOR PRODUCING A METALLIZATION HAVING TWO MULTIPLE ALTERNATING METALLIZATION LAYERS FOR AT LEAST ONE CONTACT PAD AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING SAID METALLIZATION FOR AT LEAST ONE CONTACT PAD [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010106144A3 . 2010-11-18

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