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基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器

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摘要

本发明公开了一种用于采集电场信号的基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括n型衬底，在衬底上设有共平面的两个重掺杂的P型接触区，在重掺杂的P型接触区上为金属引线，在这两个重掺杂的P型接触区之间设有P型沟道且分别与之相连，在P型接触区及P型沟道的表面设有SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-08-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R29/12 授权公告日:20070808 终止日期:20100527 申请日:20050527

专利权的终止
2007-08-08

授权

授权
2006-01-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-09

公开

公开

1. 基于P型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器 [P] . 中国专利： CN1330968C . 2007.08.08
2. 基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器 [P] . 中国专利： CN1693909A . 2005-11-09
3. Method for forming e.g. complementary metal oxide semiconductor fin-like FET component, involves recessing insulation elements in n- and p-type metal oxide semiconductor regions, so that machined corrugated elements are defined in regions [P] . 德国专利： DE102012108015B3 . 2013-08-22

机译：形成方法例如互补金属氧化物半导体鳍状FET组件包括在n型和p型金属氧化物半导体区域中凹陷绝缘元件，以便在区域中限定机加工的波纹状元件
4. Method of making a P-type metal-oxide semiconductor transistor and method of making a complementary metal-oxide semiconductor transistor [P] . 美国专利： US2009280614A1 . 2009-11-12

机译：制造p型金属氧化物半导体晶体管的方法和制造互补金属氧化物半导体晶体管的方法
5. Method of making a P-type metal-oxide semiconductor transistor and method of making a complementary metal-oxide semiconductor transistor [P] . 美国专利： US2008293194A1 . 2008-11-27

机译：制造p型金属氧化物半导体晶体管的方法和制造互补金属氧化物半导体晶体管的方法