法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/306 授权公告日:20100428 终止日期:20110405 申请日:20040405
专利权的终止
2010-04-28
授权
授权
2005-12-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-12
公开
公开
机译: 通过硅工艺在硅衬底后表面上腐蚀硅的腐蚀液以及使用腐蚀液通过硅来制造通过硅芯片的半导体芯片的方法
机译: 通过硅工艺在硅衬底后表面上腐蚀硅的腐蚀液以及使用腐蚀液通过硅来制造通过硅芯片的半导体芯片的方法
机译: 通过硅工艺在硅衬底后表面上腐蚀硅的腐蚀液以及使用腐蚀液通过硅来制造通过硅芯片的半导体芯片的方法