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公开/公告号CN1666332A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN02823469.3
发明设计人 罗斯·马利根;军·何;托马斯·马里博;苏珊·梅内塞斯;史蒂文·托尔;
申请日2002-11-15
分类号H01L21/78;
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人柳春雷
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 16:29:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-23
发明专利申请公布后的驳回
2005-11-02
实质审查的生效
2005-09-07
公开
机译: 划片模接合膜及在划片模接合膜中形成沟槽的方法
机译: 包括沟槽元件隔离区域的半导体器件制造方法,该方法能够形成绝缘材料层,以填充具有高纵横比且无缺陷的沟槽区域
机译: 用于治疗或预防人类免疫缺陷病毒感染的疫苗,包括抗毒素,植物来源的氨基酸,魏格氏疫苗和羟基丁酸
机译:单晶GaN衬底沟槽/ GaN单量子阱种植沟槽缺陷形成机制
机译:在GaN屏障生长期间使用氢气防止沟槽/ GaN量子阱结构中沟槽缺陷形成的机制
机译:使用GA-Migration-增强的外延,防止IngaN癫痫的沟槽缺陷形成
机译:浅沟槽隔离刻蚀的球缺陷预防
机译:六西格码设计在制造组织中的应用,旨在预防缺陷和满足客户需求。
机译:法洛氏修复四十年后的格博德缺陷形成
机译:氧化物对离子注入硅中沟槽边缘缺陷形成的影响
机译:疾病预防控制中心国家人体免疫缺陷病毒病例监测指南,211包括人类免疫缺陷病毒感染监测和获得性免疫缺陷综合症。发病率和死亡率周报,Vol。 48,编号RR-211 13,Decem