首页> 中国专利> 磁阻随机存取存储器装置及构成该装置的铁磁性半导体的铁磁性转移温度的控制方法

磁阻随机存取存储器装置及构成该装置的铁磁性半导体的铁磁性转移温度的控制方法

摘要

针对目前挥发性存储器的快闪存储器由于写入速度迟缓,改写次数有界限的,而且电功消耗量较多;强介电体存储器(FeRAM)由于改写次数为约10

著录项

  • 公开/公告号CN1659707A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 独立行政法人科学技术振兴机构;

    申请/专利号CN03813641.4

  • 发明设计人 吉田博;佐藤和则;

    申请日2003-06-11

  • 分类号H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 日本国埼玉县

  • 入库时间 2023-12-17 16:25:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-04-16

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-10-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-24

    公开

    公开

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