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具有改进的栅电介质表面的有机薄膜晶体管

摘要

本发明提供了一种有机薄膜晶体管,该晶体管包括插入在栅电介质和有机半导体层之间的自组装单层。单层为栅电介质与自组装单层母体反应的产物。半导体层包括选自被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的并苯,或任选地被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的苯并-稠合的并苯或聚苯并-稠合的并苯中的材料。本发明还提供了制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的集成电路。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L51/40 授权公告日:20090128 终止日期:20120211 申请日:20030211

    专利权的终止

  • 2009-01-28

    授权

    授权

  • 2005-09-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-13

    公开

    公开

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