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绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法

摘要

本发明提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成高质量、高纯度的含有锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法。本发明的绝缘膜成膜用原料由锂的烷氧基化合物和、从醚、酮、酯、醇或烃选出的1种以上的有机溶剂组成,或者由锂的烷氧基化合物或锂的羧酸盐、四甲氧基硅烷或者四乙氧基硅烷及有机溶剂组成,本发明的成膜方法是使用这些原料进行成膜的。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B3/18 授权公告日:20090819 终止日期:20121026 申请日:20041026

    专利权的终止

  • 2009-08-19

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-01

    公开

    公开

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