法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B3/18 授权公告日:20090819 终止日期:20121026 申请日:20041026
专利权的终止
2009-08-19
授权
授权
2006-10-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-01
公开
公开
机译: 能够用于制造制造成膜绝缘膜的材料的光敏组合物,该成膜绝缘膜能够通过使用光照相术来形成孔的材料,以及用于制造包含该绝缘膜的绝缘膜的制造方法,以及用于制造这种绝缘膜的制造方法内置绝缘膜
机译: 无机成膜涂层剂,使用该成膜膜的无机成膜方法,以及用相同膜获得的无机成膜铝材料和无机成膜钢材料
机译: 可以切换两种磁通分布模式(平衡模式/非平衡模式)的磁控溅射设备,使用该设备和双模式磁控溅射设备形成无机成膜材料的膜的成膜方法,以及使用该装置在低温下形成膜的无机成膜材料的成膜方法