首页> 中国专利> 低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法

低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，包括：一N

著录项

公开/公告号CN1538532A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-10-20

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子中心;
展开▼

申请/专利号CN03123140.3
发明设计人金湘亮;陈杰;
展开▼

申请日2003-04-17
分类号H01L31/10;H01L27/14;H01L31/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100029 北京市德胜门外祁家豁子
入库时间 2023-12-17 15:39:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-04-04

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2004-12-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-10-20

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法 [P] . 中国专利： CN1538532A . 2004-10-20
2. 无需离子注入来制造垂直结型场效应晶体管和双极结型晶体管的方法以及由该方法制造的器件 [P] . 中国专利： CN102549752A . 2012-07-04
3. Poly-emitter type bipolar junction transistor, bipolar CMOS DMOS device, and manufacturing methods of poly-emitter type bipolar junction transistor and bipolar CMOS DMOS device [P] . 美国专利： US8173500B2 . 2012-05-08

机译：多发射极型双极结型晶体管，双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法
4. POLY-EMITTER TYPE BIPOLAR-JUNCTION TRANSISTOR, CAPABLE OF IMPROVING AN OPERATIONAL PROPERTY, A BIPOLAR CMOS DMOS DEVICE, A METHOD FOR MANUFACTURING THE POLY-EMITTER TYPE BIPOLAR-JUNCTION TRANSISTOR, AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE BIPOLAR CMOS DMOS DEVICE [P] . 韩国专利： KR20100051220A . 2010-05-17

机译：具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管，一种双极CMOS DMOS器件，一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
5. Bipolar junction transistor of poly-emitter type, Bipolar CMOS DMOS device, manufacturing method of bipolar junction transistor of poly-emitter type and manufacturing method of Bipolar CMOS DMOS device [P] . 韩国专利： KR101126933B1 . 2012-03-20

机译：多发射极型双极结型晶体管，双极CMOS DMOS器件，多极型双极结型晶体管的制造方法和双极CMOS DMOS器件的制造方法