首页> 中国专利> 一种去除铜籽晶表面氧化膜及增强铜层黏附力的前处理工艺

一种去除铜籽晶表面氧化膜及增强铜层黏附力的前处理工艺

摘要

在铜互连技术中,籽晶层表面的氧化是一个严重影响铜镀层质量及铜互连线稳定性的因素。目前去除CuO的方法,有的很容易损伤籽晶铜本体;有的则容易造成籽晶层退火,铜层变粗糙,影响镀层质量,均有很大缺陷。本发明提出一种去除铜籽晶层表面氧化膜及对籽晶层前处理的新工艺,具体是通过施加并调节阴极电流、阳极电流,控制镀液温度和硅片转速,依靠镀液中的H+去除籽晶层表面的CuO,保护铜籽晶层本体。在不损伤铜基体的前体下,有效去除CuO,并增强镀层和籽晶层之间的黏附力,从而减轻铜布线中的热应力诱导失效。

著录项

  • 公开/公告号CN1547245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200310109454.4

  • 发明设计人 朱建军;

    申请日2003-12-16

  • 分类号H01L21/3205;H01L21/326;H01L21/768;

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人滕怀流;陶金龙

  • 地址 200020 上海市淮海中路918号18楼

  • 入库时间 2023-12-17 15:39:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/3205 授权公告日:20070425 终止日期:20151216 申请日:20031216

    专利权的终止

  • 2007-04-25

    授权

    授权

  • 2005-07-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号