具有防止基区穿通的横向延伸基区屏蔽区的功率半导体器件及其制造方法

摘要

一种功率MOSFET(10)，它包含其中具有漂移区的半导体衬底(102)以及延伸在漂移区和半导体衬底第一表面(102a)之间的过渡区(130)。过渡区(130)中具有垂直退减的掺杂分布，其峰值在相对于第一表面(102a)的第一深度处。而且在各自第一和第二基区(126)下方提供了第一和第二基区屏蔽区(128)，以便耗尽过渡区(130)。