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庄宝煌; 黄美纯; 朱梓忠; 李开航;
厦门大学物理学系;
GAT; 基区穿通电压; 兼容性; 功率晶体管;
机译:RIF口实现兼容SII,高电压具有高击穿电压
机译:多门MOSFET穿通特性的综合研究-SOI MOSFET各种栅极形状的穿通电压趋势
机译:具有电荷不平衡的超结功率器件的击穿电压:对穿通和非穿通器件均有效的分析模型
机译:分析N + PN +和N + P + NN +夹心结构的穿通和穿通击穿电压
机译:高纳米纳米线的电流 - 电压特性和低频噪声光谱
机译:固定电荷膜的电压-电流关系及其穿通特性的定量分析
机译:GAT在高频和高基极穿通电压之间的兼容性分析
机译:压阻式加速度计在高频率,高冲击环境中的特性
机译:具有高早期电压,高频率性能和高击穿电压特性的互补双极晶体管及其制造方法
机译:具有在保持高功率效率特性的同时提高频率效率特性的调制器,其调制方法,解调器及其解调方法
机译:程序,以实现三个腔的跨距对称性并实现高频率,回旋加速器中的加速电压,dreisektorentyp
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