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庄宝煌; 黄美纯; 朱梓忠; 张志鹏; 李开航; 吴丽清;
厦门大学物理学系;
功率器件; 基区穿通电压; 频率; 电流增益; GAT器件;
机译:新型4H-SiC BJT,利用基极中的浮动掩埋层实现高电流增益,高电流增益稳定性和高击穿电压
机译:理光电子器件可在高达60V的工作电压下实现低电流消耗,具有高耐压电流IC
机译:在具有高电流增益比和低导通电压的有机上转换器件的发射层中诱导陷阱位点
机译:单相修改型连续输入电流开关升压型逆变器,可实现高电压增益
机译:具有高光电流的新型带隙工程光铁电光伏器件的实现
机译:在不含富勒烯的有机光伏电池中实现低电压损耗和高光电流
机译:GAT在高电流增益和高雪崩击穿电压之间的兼容性分析
机译:高增益Gaas光电导半导体开关(pCss):器件寿命,高电流测试,光脉冲发生器
机译:具有硅通孔的半导体器件可实现高电流,高频率和高散热
机译:具有硅通孔的半导体器件,可实现高电流,高频率和散热
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