锗硅Bi-CMOS器件制备工艺

摘要

本发明公开了一种锗硅Bi-CMOS器件制备工艺，其中形成锗硅Bi-CMOS器件的侧墙和金属硅化物阻挡层包括以下步骤：1，介质膜层沉积；2，旋涂负性光刻胶；3，使用金属硅化物阻挡层的光罩进行曝光，形成金属硅化物阻挡层图形；4，刻蚀，形成侧墙，同时去除无光刻胶区域的介质膜层；5，成长保护CMOS器件的介质膜层；6，光刻，刻蚀介质膜层以打开锗硅合金生长区；7，后续的锗硅合金器件形成工艺。本发明采用负性光刻胶进行金属硅化物阻挡层光刻，从而通过一次光刻刻蚀形成侧墙和金属硅化物阻挡层，简化工艺流程，提高器件的成品率和可靠性。