多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成

摘要

在集成电路技术中，提供了例如铜的金属的电迁移和扩散敏感导体及其加工程序，其中在平整化的化学机械加工的界面处，在可选择的低Keff介质材料的用一种材料围绕的区中定位该导体金属。选择所述一种材料以便防止外扩散并且作为膜形成厚度帽的源，该膜形成厚度帽将形成在导体金属上和/或起到催化层的作用，用于CoWP成帽层的化学选择淀积。

说明书

技术领域

本发明涉及使用会表现出扩散和电迁移性能的金属例如铜(Cu)作为半导体集成电路中线和互连中的金属导体的领域，尤其是介质材料内的这种集成电路中该材料的导体的形成，并且具有具有自对准金属帽层。

背景技术

本领域很好地发展了互连技术，作为集成电路和半导体芯片结构中的通路、线和其它图形以及互连之用。在这些结构中，多级布线图形埋在介质材料中，由具有不同介电性能的介质材料分隔的布线图形和通路。

例如铜(Cu)的材料在本领域正引起人们的注意，因为它具有能够通过减小导体电阻改进性能的潜在能力。然而，由增加性能的愿望驱动而导致的越来越小的尺寸和不断增加电流的物理条件下，这种材料的扩散和电迁移性能难以解决污染和泄漏控制问题和可靠性问题。

通常以术语“衬垫”、“阻挡”或者“帽”相称的保护层正在被采用，试图限制外扩散和电迁移。然而，任何保护材料还必须对结构中其它各种介质材料具有好的粘结性。

在目前的技术状态，在一个方案中，通过下列方式解决上述问题，对于硅衬底上的铜导体线来说，使用二氧化硅作为互连介质材料，氮化硅材料作为帽材料。然而，目前依赖的氮化硅材料在具有理想的高电阻率性能的同时，还具有7至8的相当高的介电常数，因此增加了结构的有效介电常数(Keff)，也不利地影响了级内电容(intralevel capacitance)。

在另一个方案中，也涉及材料Cu的扩散和电迁移问题，所实现的理想结果包括进一步能够选择保持理想的低(Keff)的帽材料，该帽材料通过环绕的介电材料建立。该技术在Hu等人于7/27/99申请的申请序列号No.09/361,573中描述了，该申请转让给了本申请的受让人。在该技术中，在包括钴钨磷(CoWP)淀积的两步工序中生成自对准金属帽。所淀积的材料覆盖和保护顶部铜表面，同时实现了结构中理想的粘结，并且起到阻抗电迁移的作用。

当在本领域寻求更大的进步时，低介电常数(低K)金属间(intermetal)的介质材料表现出更有前途的性能。

在集成电路技术中需要更简单的加工方法，其中保护导体材料例如Cu免受电迁移和扩散的影响，并且能够定位在可选择的低Keff介电结构中。

发明内容

在集成电路技术中，提供了一种电迁移和扩散敏感金属例如铜的导体元件及其加工程序，其中在平整化的化学机械加工了的界面处，导电元件的金属定位在可选择的Keff介质材料中。该金属由具有抗原子扩散出所述金属的性能并且作为膜厚度帽的源的材料环绕，该膜厚度帽将形成在该金属上。该帽提供环境保护并且提供催化有效性，用于进一步加工。本发明的技术提供一种中间导电元件产品和制造方法，该产品能够用作许多半导体集成结构中的布线导体或者互连。该导电元件通过下列方式制造：在可选择的、优选(低K)介质中，在将被化学机械加工(CMP)的界面中形成容纳沟槽。用由一种材料或者多种材料的一层或者多层构成的区作沟槽的衬垫，所述一种材料或者多种材料能够控制所述金属外扩散到优选的(低K)介质材料中，并且还能够提供扩散剂源，当通过例如退火操作扩散剂源扩散到金属表面时，形成了金属上的自对准保护帽。用金属填充衬垫内侧的沟槽部分。在形成保护帽过程中，对带衬垫的沟槽结构中的金属进行退火温度循环。然后可以沿着CMP平整表面平整化导电元件的结构，以便除去平整表面上剩余的任何衬垫材料和任何过剩的金属材料。如果需要，可以从远离平整表面的一侧腐蚀掉介质部件，以便露出沟槽的底部，用于进一步的接触。

附图简述

图1是本发明的带帽扩散-电迁移保护的导电元件的截面图。

图2A至2G表明在本发明的带帽导电元件的形成中，在几个加工步骤的部分制造的结构。

本发明的描述

在目前的技术状态，在利用扩散和电迁移敏感金属例如铜作为布线导体和互连的集成电路的发展中，问题的主要根源来自金属外扩散到介质中从而在支撑介质界面处造成污染，以及金属与下一级的界面处的跟其它材料反应。

参考图1，图1示出了本发明的扩散-迁移保护导电元件的截面图。在图1中，介质2在平面化学机械加工(CMP)的平整表面3下延伸，在延伸到介质2中的沟槽1中，沿着沟槽1的侧面和底部在衬垫5内定位本发明的扩散-电迁移保护导电元件4。衬垫5中的铜导体6具有与衬垫5的外侧侧表面8对准的帽7，并且能够加工成与(CMP)平整表面3齐平。在进一步的使用中，如果需要，可以进一步从下面CMP加工介质材料2，以便在示为点划线9A和9B的将被平整化的表面中露出导体6的底部，点划线9A所示的表面用于被露出导体，点划线9B所示的表面具有与帽7对应的帽。

参考图2A-2G，在本发明的使用金属铜(Cu)作为导体的扩散-迁移保护导体元件的形成中，在说明性的制造步骤中提供了结构的部分产品图。其中适当采用了与较早的图中所用的参考标号对应的参考标号。

参考图1和2，从图2A开始，介质材料2的层11已经淀积在例如氧化硅材料的衬底上，该介质材料2的层11的介质材料2例如选自通常由Si、C、O和H构成、具有如CORAL和Black DIAMOND等商标的SiO₂、SILK、FSG、SiCOH和Si基低k介质，其深度例如达到大约1000-10000埃，该深度大约比将形成的导体6的设计高度在同一数量级或稍大。暴露表面12。至此在用于层11的介质材料2的性能选择上存在灵活性，使得可以选择低k介质。

参考图2B，用掩模材料13平版印刷覆盖露出的表面12，使得留下暴露的区域14，以便制造加工。掩模材料13应能够抵抗通过区域14对介质11的任何想要的腐蚀操作，例如化学或者反应离子蚀刻。

参考图2C，图2C示出了层11中沟槽15的形成，该沟槽通过表面12利用例如化学或者反应离子蚀刻已经形成，深度大约为1000-10000埃，该深度比将形成的导体6的设计高度在同一数量级或稍大。

在图2D中，标为部件16的衬垫区可淀积在沟槽15中，采用的淀积技术例如有物理汽相淀积(PVD)即溅射等、化学汽相淀积(CVD)、原子层淀积(ALD)、化学或者电解淀积。区域16将覆盖沟槽15的侧面和底部，并且最初允许覆盖表面12。部件16可以是结构中一个或者多个单独的层、合金或者相，并且可以形成为例如由钨(W)与钌(Ru)构成的双层。或者可选择的组合可以是TaN/Ta/Ru、TiW/Ru、TiN/Ru。区域16中材料的扩散源性能产生了在结构中还能够起催化作用的金属帽。该性能给予成份是Ru，它能够由如Pd、Rh、Co、Pt、Ir和Ag元素代替。

区域16的作用是提供对于包含在沟槽15中的导体金属的外扩散和电迁移抑制能力，并且区域16的作用还包括作为扩散剂元素源，后来该扩散剂元素穿过所述将提供的导体金属扩散出区域16，然后作为其上面的自对准帽。衬垫区域层16可以选自下面的成份：

对于叠层衬垫A/B：A可以选自W、Ta或者Ti、它们的氮化物和硅化物及其组合，B可以选自Pd、Rh、Co、Pt、Ir、Ru和Ag，B层的厚度＜100A。对于合金衬垫A(B)来说，保持上面的成份关系，且合金中B的比例＜75％。对于大约0.1微米的衬垫宽度跨距来说，总的衬垫区部件16的厚度在大约30-300埃范围内。

参考图2E，描述了已经进行了填充操作，其中利用标为部件17的导体材料的淀积操作填充沟槽15内衬垫16的开放部分。淀积操作可以是本领域的标准技术，例如电解镀或者化学镀。当选择的导体金属是铜时，在活化任何电镀操作中可以需要或者不需要籽晶。导体材料17的淀积操作填充了衬了衬垫16的沟槽15的开口18，可能有延伸区延伸到衬垫16的部分表面上。

参见图2F，已进行平整化操作，其中利用如化学-机械抛光技术的技术，除去所有的材料，直到表面12，留下包含衬垫16、继而用导体材料17填充的沟槽15，所有都与表面12齐平。

参考图2G，对图2F所示的结构进行退火热循环操作，以便使成帽材料扩散，例如已经包含在衬垫16中的钌穿过填充沟槽15开口的导体材料17到达表面12，由此在表面形成帽18，帽18在表面12处与衬垫16的边缘自对准。帽18的厚度可以大约为5-50埃，对于环境保护或者作为大约50-500埃厚量级的电镀或化学镀操作的催化剂来说，上述帽18的厚度足够了。

图2G所示的中间产物可以用作表面12处的电衬垫，或者通过使用帽18作为更多帽层的籽晶或者催化剂，或者进一步通过从下面腐蚀加工该中间产物例如CMP，腐蚀到所示的点划线19，从而露出扩散和电迁移保护和带帽的线或者互连，用于其它用途。

已经描述的技术是提供在介质中具有自对准帽的一种具有的扩散和电迁移保护的导电元件，介质中的导体由抗外扩散并且作为成帽材料源的材料围绕，该成帽材料能够扩散到帽位置。