多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成

摘要

在集成电路技术中，提供了例如铜的金属的电迁移和扩散敏感导体及其加工程序，其中在平整化的化学机械加工的界面处，在可选择的低Keff介质材料的用一种材料围绕的区中定位该导体金属。选择所述一种材料以便防止外扩散并且作为膜形成厚度帽的源，该膜形成厚度帽将形成在导体金属上和/或起到催化层的作用，用于CoWP成帽层的化学选择淀积。