减少半导体组件产生浅沟渠隔离凹陷效应的方法

摘要

本发明公开一种减少半导体组件产生浅沟渠隔离凹陷效应的方法，其是在一半导体基底表面形成一垫氧化层与氮化硅层后，利用蚀刻技术形成浅沟渠，再于浅沟渠两侧的基底内形成一离子掺杂区，接着该基底上形成氧化层，使其填满该浅沟渠，以形成浅沟渠隔离结构。本发明利用该离子掺杂区防止扭曲效应的发生，以保持组件特性，并提升产品合格率。