机译:具有浅沟槽隔离效应的多指MOSFET两级OTA的设计程序
机译:利用浅沟槽隔离寄生晶体管来表征部分耗尽的绝缘体上硅输入/输出n-MOSFET的总电离剂量效应
机译:具有浅沟槽隔离的0.2μmPDSOI NMOSFET中的总电离剂量效应
机译:浅沟槽隔离应力对45度旋转MOSFET布局的影响
机译:用于100nm CMOS的浅沟槽隔离和凸起的源极/漏极的设计,制造和表征。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:具有高压隔离的新型细沟MOSFET,用于智能电力系统