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具有载流子耗尽层的光学装置

摘要

包括形成在第一导电型衬底上的DFB激光二极管和EA调制器的EA-DFB模块有一个台式带,一个形成在台式带两侧面上的电流阻挡结构和一个形成在台式带顶部及电流阻挡结构上的第二InP包层。电流阻挡结构包括一个掺Fe的半绝缘膜、一个第一导电型埋层和一个载流子耗尽层。载流子耗尽层减小第一导电型埋层和第二InP包层之间边界处的寄生电容。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-03-29

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-12-15

    发明专利公报更正更正 卷:20 号:14 更正项目:发明人 误:(第六发明人)中琦龟介 正:中崎龟介 申请日:20030714

    发明专利公报更正

  • 2004-12-15

    发明专利申请公开说明书更正 卷:20 号:14 页码:扉页 更正项目:发明人 误:(第六发明人)中琦龟介 正:中崎龟介 申请日:20030714

    发明专利申请公开说明书更正

  • 2004-04-07

    公开

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