利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法

摘要

一种利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法,可应用在存储器件上,例如是硅层/氧化层/氮化层/氧化层/硅层(SONOS)的堆栈层器件或氮化物只读存储器(NROM),其中,在定义基底上的导电层之后,利用已定义的导电层作为罩幕来进行口袋离子植入,接着,在导电层的侧壁形成间隙壁,再进行形成埋入式漏极的离子植入,由于部分的暴露基底已被间壁隙壁所覆盖,因此所形成的埋入式漏极范围缩小,而且被包覆在口袋掺杂区之内。因此,埋入式漏极的离子扩散不至于缩短信道,而有利器件缩小制作过程。