制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件

摘要

利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。