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采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺

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摘要

一种CVD淀积TiSiN薄膜的集成电路制造工艺，采用化学汽相淀积方法，用He

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/34 授权公告日:20071031 终止日期:20120102 申请日:20030102

专利权的终止
2007-10-31

授权

授权
2006-10-04

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后:

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2006-01-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-06-25

公开

公开

1. 采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺 [P] . 中国专利： CN1425797A . 2003-06-25
2. 采用含钛有机金属材料的化学气相淀积含硅氮化钛的工艺 [P] . 中国专利： CN100345999C . 2007.10.31
3. PLASMA CVD DEVICE AND CVD PROCESSING METHOD EMPLOYING THE DEVICE AND CLEANING METHOD FOR INSIDE OF THE DEVICE [P] . 日本专利： JPH0773997A . 1995-03-17

机译：等离子体化学汽相淀积装置及采用该装置的化学汽相淀积方法及装置内部的清洗方法
4. RAW MATERIAL VAPORIZER FOR ELECTROCHEMICAL VAPOR-DEPOSITION, ELECTROCHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND SOLID ELECTROLYTIC FILM FORMING METHOD USING THE DEVICE [P] . 日本专利： JPH11323557A . 1999-11-26

机译：用于电化学汽相淀积的原始材料汽化器，电化学汽相淀积装置和使用该装置的固态电解膜形成方法
5. The process of vapor deposition substrates in the form of a tape with a layer of barrier oxide transparent alumu00ecnio evaporative reactive alumu00ecnio and admission of reactant gas in a plant for vapor deposition of the tape. [P] . BR0315699B1 . 2012-11-27

机译：带状的汽相淀积衬底的工艺，该带具有一层阻挡氧化物透明的明矾气化的蒸发反应性明矾，并使反应气体进入用于汽相淀积的设备中。