减少静摩擦和钝化微电机表面的晶片水平处理方法及其所用化合物

摘要

本发明公开了在微电机结构上形成持久的抗静摩擦表面的方法，且该结构仍是以晶片的形式存在(例如在它们被分割成装配封装用的分散器件之前)。该方法包括产生低静摩擦表面的材料的汽相沉积。它还公开了有效地赋予芯片以抗静摩擦性质的化合物，这些化合物包括苯基烷氧基硅烷、聚苯基硅氧烷、硅醇终止的苯基硅氧烷和类似材料。