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半导体装置制造中瑕疵聚集的检索方法及装置和所用程序

摘要

一种半导体装置制造中的瑕疵聚集的检索方法,该方法包括:输入检索母体内存在的关于不完全实体的数据,计算每个分割检索母体的各单位单元的不完全实体的频率分布,对于频率分布,拟合两种以上的离散型分布函数,根据对频率分布的离散型分布函数的加权,检索聚集。发现制造过程或设计的异常后,可方便地进行改善半导体装置的生产率所用的定量聚集检索。

著录项

  • 公开/公告号CN1360339A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2002-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社东芝;

    申请/专利号CN01125341.X

  • 发明设计人 光武邦宽;牛久幸广;

    申请日2001-08-21

  • 分类号H01L21/00;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 14:19:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/00 授权公告日:20050427 终止日期:20130821 申请日:20010821

    专利权的终止

  • 2005-04-27

    授权

    授权

  • 2002-07-24

    公开

    公开

  • 2002-05-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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