有本征吸气的外延硅晶片的制造方法

摘要

本发明提供一种制造表面上淀积外延层的硅晶片的新方法,外延层淀积在硅晶片表面上。晶片至少加热到约1175℃,在外延淀积中和/或淀积后进行热处理,受热晶片按至少约10℃/秒的冷却速度冷却一段时间但(a)晶片温度高于1000℃,(b)晶片不接触托架,该方法是在同一反应室内进行外延淀积,加热和冷却。