首页> 中国专利> 纳米孔道中的晶体管及其集成电路

纳米孔道中的晶体管及其集成电路

摘要

本发明属于一种纳米尺寸的半导体电子器件,利用了分子筛材料中纳米孔道整齐排列和可控制生长的特点,将半导体材料装入纳米孔道中,形成沿纳米孔道的半导体器件。选用电绝缘的材料作为形成纳米孔道的体材料。在直型孔道的两端分别装入P型和N型半导体材料,结合处形成p-n结;孔道的两侧装入导电性材料,引出电极,从而构成完整的纳米孔道二极管。利用同样的方法在T型和Y型孔道中可以构成纳米孔道三极管。进一步将纳米孔道控制生长,并使之有序排列,装入P型、N型半导体和将晶体管连接在一起的导电材料,即可构成三维结构的纳米孔道集成电路。纳米孔道集成电路具有更高的集成度。

著录项

  • 公开/公告号CN1304181A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2001-07-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN99124924.0

  • 发明设计人 秦伟平;

    申请日1999-12-01

  • 分类号H01L29/861;H01L29/72;

  • 代理机构中国科学院长春专利事务所;

  • 代理人李恩庆

  • 地址 130022 吉林省长春市人民大街140号

  • 入库时间 2023-12-17 13:54:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-11-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2001-12-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-07-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号