公开/公告号CN1304181A
专利类型发明专利
公开/公告日2001-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院长春光学精密机械研究所;
申请/专利号CN99124924.0
发明设计人 秦伟平;
申请日1999-12-01
分类号H01L29/861;H01L29/72;
代理机构中国科学院长春专利事务所;
代理人李恩庆
地址 130022 吉林省长春市人民大街140号
入库时间 2023-12-17 13:54:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-11-26
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2001-12-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-07-18
公开
公开
机译: 包括交叉耦合晶体管的集成电路,该交叉耦合晶体管具有在栅极级特征布局通道内形成的栅电极,并且至少一个栅极级特征延伸到相邻的栅极级特征布局通道中
机译: 用于管理MOS晶体管的沟道中的应力配置的方法以及相应的集成电路。
机译: 包括集成电路的半导体芯片,该集成电路包括在各个晶体管之间具有电连接的具有四个第一晶体管类型的晶体管和具有第二晶体管类型的四个晶体管的晶体管及其制造方法