法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/28 授权公告日:20050209 终止日期:20111126 申请日:19991126
专利权的终止
2005-02-09
授权
授权
2000-06-07
公开
公开
2000-05-10
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 用于制造相同化合物的组合物和方法,用于形成的光学组分的组合物,用于光刻的膜形成组合物,抗蚀剂组合物,用于形成抗蚀剂图案的方法,用于制造辐射图案的组合物,用于制造膜的胶片,用于制造薄膜的方法,用于胶片的方法形成下层膜,用于光刻的下层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和精制方法
机译: 用于形成膜的组合物,抗蚀剂组合物,辐射敏感组合物,无定形膜制造方法,抗蚀剂图案形成方法,用于光刻,电路图案形成方法和用于光刻薄膜的底层薄膜的制造方法,用于形成光学构件的组合物, 用于形成膜,抗蚀剂树脂,辐射敏感树脂的树脂和用于形成光刻底层薄膜的树脂
机译: 薄膜图案形成用基质,薄膜图案形成基质的制造方法以及薄膜图案形成基质