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薄膜基板を用いた高分解能電子線リソグラフィによるパターン媒体の微細ドットパターンの形成

机译:薄膜基材高分辨率电子束光刻形成图案介质的精细点图案

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摘要

パターン媒体は磁性体の微小ドットをトラックに沿って配列させたものであり,25nm×25nmのドットを40nm×40nmの周期で配列させたとき,記録密度は0.4Tbits/inch{sup}2に相当する.このパターンを電子線リソグラフィで作製するには,これまでにない高い分解能の電子線リソグラフィ技術が必要である.電子線リソグラフィで分解能を制限する最も大きい要因はレジスト層の下の基板から反跳する後方散乱電子による図形の広がりである.これを克服するには,①炭素や窒化炭素などの低原子番号の基板を用いること,②薄膜基板を用いることが考えられる.薄膜基板は従来の半導体技術では,Fig.1に示すように異方性エッチングでシリコン基板に窓を開けた窒化シリコン(Si{sub}3N{sub}4)薄膜を用いるのが一般である.しかしながら,Si{sub}3N{sub}4薄膜基板は機械的に脆弱で,また,5mm×5mm程度の小面積に限られる.本研究では二軸延伸ポリエチレンテレフタラート箔(マイラ箔)の大面積薄膜基板を作製し,電子線リソグラフィの高分解能露光の実験を行った.
机译:当图案介质沿着沿轨道的轨道,且布置成当为25nm×25nm的点被布置在40纳米×40纳米的周期,记录密度相当于0.4 tbits /英寸{SUP} 2待办事项。为了使这个图案与电子束光刻,需要一个前所未有的电子束光刻技术。限制与电子束光刻分辨率的最大因素是该图的由从基板反冲下的抗蚀剂层中的背散射电子的扩散。为了克服这个问题,可以想到使用二碳底物,如1个碳或碳氮化物使用2薄膜基板。薄膜基材通常在半导体技术中所使用的,如示于图1中,如图1中所示,氮化硅(Si {子} {3N亚} 4)中,通常使用的薄膜。然而,硅{SUB} 3N {SUB} 4薄膜基板是机械脆弱的和被限制在约5mm×5mm的小区域。在这项研究中,双轴拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(聚酯箔)的大规模薄膜基板制作,并进行电子束光刻的高分辨率曝光的实验。

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