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具有分层位线和/或字线结构的半导体存储器

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摘要

一种分层位线和/或字线结构的半导体存储器。在一实施例中,特别适用于少于8F

1. 具有分层位线和/或字线结构的半导体存储器 [P] . 中国专利： CN1220466A . 1999-06-23
2. 有用改进位线预充电系统的分层位线结构的半导体存储器 [P] . 中国专利： CN1143251A . 1997-02-19
3. A semiconductor memory having a hierarchical bit line and / or word line structure [P] . 韩国专利： KR19990063189A . 1999-07-26

机译：具有分层位线和/或字线结构的半导体存储器
4. A semiconductor memory device having a hierarchical bit line structure employing an improved bit line pre- [P] . 韩国专利： KR960025723A . 1996-07-20

机译：具有采用改进的位线预分层的分层位线结构的半导体存储器件
5. Layout structure in semiconductor memory device comprising global word lines, local word lines, global bit lines and local bit lines [P] . 美国专利： US7993961B2 . 2011-08-09

机译：半导体存储器件中的布局结构，包括全局字线，局部字线，全局位线和局部位线