首页> 中国专利> 在用于集成电路的金属堆栈中钛和铝合金之间的改进界面

在用于集成电路的金属堆栈中钛和铝合金之间的改进界面

摘要

在集成电路中用作互连结构的金属堆栈中的一种改进。该改进包括在钛层和诸如铝铜合金的体导电层接触的界面捕获在钛层中的氮。捕获氮阻止了铝化钛的大量形成,从而降低了电流密度,还改善了堆栈的电迁移特性。现行优选的是,氮被捕获在钛层的最初大约30A中。

著录项

  • 公开/公告号CN1202273A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1998-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN96198410.4

  • 申请日1996-09-30

  • 分类号H01L21/283;H01L23/532;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人邹光新;张志醒

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 13:17:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2001-12-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 1998-12-30

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-12-16

    公开

    公开

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