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公开/公告号CN1192056A
专利类型发明专利
公开/公告日1998-09-02
原文格式PDF
申请/专利权人 西门子公司;
申请/专利号CN97125233.5
发明设计人 B·施特格姆韦莱;
申请日1997-12-17
分类号H01L33/00;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人黄向阳;萧掬昌
地址 联邦德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 13:13:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-04-02
发明专利申请公布后的视为撤回
1998-09-02
公开
1998-08-05
实质审查请求的生效
机译: 使用多重量子阱结构和多重量子阱结构的半导体器件
机译: 包含复合价带量子阱结构的光电子器件
机译: 具有量子阱结构的发射辐射的光电子器件及其制造方法
机译:有机发光器件中的高效多重三重态量子阱结构
机译:基于多重量子阱结构的高效白色有机发光器件
机译:光电子器件的III-V半导体量子阱结构中的局部带隙工程
机译:砷化镓耦合量子阱中的间接激子:光电子逻辑器件和俘获势的发展,以及对玻色子凝聚态系统中低温现象的研究。
机译:纳米结构石墨烯:光电子器件中的活性成分
机译:用量子阱的光电子结构中的非线性动力学
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物