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Ⅱ型量子阱中红外光电子器件

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本发明提供一种Ⅱ型量子阱中红外光电子器件。该器件做在InP衬底上，InP衬底上有一个激活区，激活区中有一层InAsN或InGaAsN电子量子阱层和一层GaAsSb或InGaAsSb空穴量子阱层，

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来源
《红外》 |2007年第12期|5-5|共1页
作者
高编（译）;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
光电子器件; 量子阱; 中红外; Ⅱ型; InGaAsSb; InP衬底; 激活; 空穴;

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