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通过改变衬底形貌在衬底上形成平面化表面

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一种在半导体衬底(30)的沟槽隔离区(33)上形成基本平面化表面的方法。潜在有源区(42)形成在所述沟槽隔离区(33)内。之后在半导体衬底(33)表面上淀积介质层(38)。然后抛光介质层(38)形成平面化的表面。

著录项

公开/公告号CN1171166A

专利类型发明专利
公开/公告日1998-01-21

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN95197102.6
发明设计人 P·K·穆恩;A·G·萨伦杰;T·L·迪塔;
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申请日1995-11-13
分类号H01L23/053;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/76;H01L21/48;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人邹光新;张志醒
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 13:04:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2000-02-09

专利申请的视为撤回

专利申请的视为撤回
1998-02-04

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1998-01-21

公开

公开

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外文文献

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