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晶体管反偏二次击穿测试装置

摘要

本发明的装置对被测器件施加连续脉冲功率,当发生反偏二次击穿时,通过设置在基极电路中的反偏二次击穿检测器检测射频振荡,而后经单稳、R-S触发器进行反偏二次击穿指示、读数、终止测试一系列操作。与此同时,从被测器件的集电极设置一套独立的保护电路。该电路检测在集电极出现的任何负沿,并加以保护,由于负沿触发的高速度可以实现无损伤测试。又由于该高速保护电路所固有的微小延迟与SB检测器射频检测的脉冲形成电路的时间差,使保护与SB指示二者互不影响。

著录项

  • 公开/公告号CN1073530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1993-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 易本健;

    申请/专利号CN92114463.6

  • 发明设计人 易本健;

    申请日1992-12-19

  • 分类号G01R31/26;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100053 北京市宣武区白广路华北电管局宿舍东楼一宅6户

  • 入库时间 2023-12-17 12:23:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1997-04-09

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1996-04-24

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1993-06-23

    公开

    公开

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