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易本健;
北京无线电仪器厂;
功率; 晶体管; 击穿; 测试; 可靠性;
机译:垂直和横向CaN功率场效应晶体管的二次击穿和稳健性
机译:高功率开关晶体管中“二次击穿能量”参数的重要性
机译:N沟道VDMOSFET晶体管的正偏应力和负偏应力的比较
机译:功率双极晶体管的电热SPICE宏观建模,包括雪崩和二次击穿
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:自动化的反向偏置二次击穿晶体管测试仪
机译:晶体管中的“二次击穿”
机译:用于双极功率晶体管的1000V,120a非破坏性储备偏置二次击穿测试仪
机译:具有更好的抗二次击穿能力的功率晶体管
机译:具有自我保护功能的功率晶体管,可防止直接二次击穿
机译:电阻提高了的功率晶体管,可直接进行二次击穿
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