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具有窄磁轭的薄膜磁头

摘要

一种薄膜磁头,其磁轭包括P1和P2磁性材料层,磁轭的宽度在大约5至58μm的范围内,最好约为30μm。磁轭的宽度非常窄,这样便使“爆米花噪声”减至最小程度,并且改进了高频响应特性,提高了磁头电路效率。

著录项

  • 公开/公告号CN1074307A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1993-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 里德-莱特公司;

    申请/专利号CN92111549.0

  • 申请日1992-10-20

  • 分类号G11B5/33;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部;

  • 代理人邹光新

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 12:19:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1994-08-03

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1993-07-14

    公开

    公开

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