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在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法

摘要

在充有选择性腐蚀气体(例如氢)的真空度不同的小室中用经电子束蒸发的固体碳源在绝缘衬底上淀积金刚石状碳膜,以便使衬底的温度维持在150℃以下。为了用带正电的离子轰击衬底同时防止排斥性表面电荷聚集,往夹持衬底的旋转夹具上加一个射频电场。抽成不同真空度的小室保持小室一端固体碳源周围的环境压强使其低得足以防止电子束能量损耗,并使碳得以蒸发,同时保持小室另一端的衬底使其处于较高的压强,从而使射频电场得以激活衬底周围的离子气体等离子体,以便淀积金刚石状碳膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1064710A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1992-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 博士伦有限公司;

    申请/专利号CN91101620.1

  • 发明设计人 迈克尔·J·坎博;

    申请日1991-03-13

  • 分类号C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖掬昌;曹济洪

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-17 12:14:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1995-11-08

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1992-09-23

    公开

    公开

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